[00257783]直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他新材料技术
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN200610105332.1
交易方式:
技术转让
技术转让
技术入股
联系人:
西安理工大学
进入空间
所在地:陕西西安市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明公开的直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法,对激光光束照射到熔体液面后反射的光斑图像进行采集,对采集到的图像通过Sobel算子提取图像边缘,再对边缘图像进行Hough变换和聚类得到激光光斑的中心位置图像,将该中心点与光电码盘的计数位置进行比较,从而得到光斑中心位置变化时相对应的液面高度变化值,进而可以根据光斑中心的变化得到液面位置的变化量,对多次计算的结果取平均可以得到比较准确的液面位置变化量。该检测方法简单、测量精度高。
摘要:本发明公开的直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法,对激光光束照射到熔体液面后反射的光斑图像进行采集,对采集到的图像通过Sobel算子提取图像边缘,再对边缘图像进行Hough变换和聚类得到激光光斑的中心位置图像,将该中心点与光电码盘的计数位置进行比较,从而得到光斑中心位置变化时相对应的液面高度变化值,进而可以根据光斑中心的变化得到液面位置的变化量,对多次计算的结果取平均可以得到比较准确的液面位置变化量。该检测方法简单、测量精度高。