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[00254578]一种ZnO/NiFe2O4纳米阵列复合异质结材料及其制备的太阳能电池

交易价格: 面议

所属行业: 纳米及超细材料

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201710302712.2

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 科小易

进入空间

所在地:福建厦门市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种ZnO/NiFe2O4纳米阵列复合异质结材料,采用以下步骤制备:1)、NiFe2O4凝胶的制备;2)、将ZnO纳米棒阵列安装在镀膜机上,镀膜机的旋转速度为1200转/min,把NiFe2O4凝胶滴加到ZnO纳米棒阵列,180℃燥30分钟,将NiFe2O4凝胶循环重复滴加至ZnO纳米棒阵列中,至NiFe2O4自下而上充分填充到ZnO纳米棒阵列的空隙中,NiFe2O4薄膜将ZnO纳米棒的全面包覆,经过热处理形成ZnO/NiFe2O4复合纳米异质结。同时公开了一种太阳能电池,依次包括:ITO或FTO导电玻璃基底、ZnO晶种层、ZnO纳米棒阵列、NiFe2O4薄膜、金属电极或导电氧化物电极和ITO或FTO导电玻璃基底。该电池成本低,制备简单,电池性能好。
本发明公开了一种ZnO/NiFe2O4纳米阵列复合异质结材料,采用以下步骤制备:1)、NiFe2O4凝胶的制备;2)、将ZnO纳米棒阵列安装在镀膜机上,镀膜机的旋转速度为1200转/min,把NiFe2O4凝胶滴加到ZnO纳米棒阵列,180℃燥30分钟,将NiFe2O4凝胶循环重复滴加至ZnO纳米棒阵列中,至NiFe2O4自下而上充分填充到ZnO纳米棒阵列的空隙中,NiFe2O4薄膜将ZnO纳米棒的全面包覆,经过热处理形成ZnO/NiFe2O4复合纳米异质结。同时公开了一种太阳能电池,依次包括:ITO或FTO导电玻璃基底、ZnO晶种层、ZnO纳米棒阵列、NiFe2O4薄膜、金属电极或导电氧化物电极和ITO或FTO导电玻璃基底。该电池成本低,制备简单,电池性能好。

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