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[00254450]一种制备氧化锌掺铜室温磁性半导体的方法

交易价格： 面议

所属行业： 化工生产

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201110171037.7

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：科小易

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所在地：福建厦门市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种制备氧化锌掺铜室温磁性半导体的方法，采用纯度为99％的分析纯ZnO粉末和纯度为99％的分析纯CuO粉末为原料进行混合研磨，然后将材料压制成片状或者不压片，并采用特有的烧结工艺，在高温电阻炉里进行大气氛围下的固相反应，完成室温磁性半导体的制备。本发明的制备方法具有工艺简化，无需用球磨机研磨、选用的制备工具和原材料低廉、产量大、填充性好、人工费用低，产品具有良好室温铁磁性能。

[00254450]一种制备氧化锌掺铜室温磁性半导体的方法

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