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[00253542]晶体生长原料处理方法

交易价格： 面议

所属行业： 合成化学

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200610116108.2

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：科小易

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所在地：福建厦门市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种晶体生长原料的处理方法，特点是将原料按照比例称量，充分混合，加压5～20KPa成需要的形状，在800～1100℃温度下烧结；将烧结后的原料在有保护气的氛围下的化料坩埚中化料，然后在密闭环境中将熔化后的原料转入生长坩埚。本方法由于整个原料处理过程在密闭环境中进行，适宜于有挥发性原料的预处理，特别适用于有毒气体挥发的原料处理。

[00253542]晶体生长原料处理方法

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