[00253349]一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法
交易价格:
面议
所属行业:
合成化学
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201010560898.X
交易方式:
技术转让
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技术入股
联系人:
科小易
进入空间
所在地:福建厦门市
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-
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技术详细介绍
本发明涉及氮化碳的制备技术,具体涉及一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法,包括如下步骤:在原子层沉积腔室中,通入气相前驱体,形成一种具有未成键电子的物质,与衬底表面原子形成共价键,实现化学吸附;通入与衬底表面发生取代反应的气体,形成所需的sp3杂化的氮碳单键结构。本发明应用于原子层沉积技术制备氮化碳薄膜,使用该方法形成的结构能够利用每一层间的相互作用,实现结构上的一致性、单晶性。
本发明涉及氮化碳的制备技术,具体涉及一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法,包括如下步骤:在原子层沉积腔室中,通入气相前驱体,形成一种具有未成键电子的物质,与衬底表面原子形成共价键,实现化学吸附;通入与衬底表面发生取代反应的气体,形成所需的sp3杂化的氮碳单键结构。本发明应用于原子层沉积技术制备氮化碳薄膜,使用该方法形成的结构能够利用每一层间的相互作用,实现结构上的一致性、单晶性。