[00249233]Si/Ti/Al硬质基底的直流磁控溅射制备方法及应用
交易价格：
面议
所属行业：
其他仪器仪表
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710299850.X
交易方式：
技术转让
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联系人：
科小易
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所在地：福建厦门市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
本发明公开了一种Si/Ti/Al硬质基底的直流磁控溅射制备方法及应用，该制备方法包括如下步骤：取Si片基板三次化学清洗后，真空除尘，预热30分至200摄氏度后，进行Ti溅射，溅射条件为本底真空度5×10‑4Pa、Ar气氛压力0.50pa、溅射时间为1min、溅射电流为1A，完成Ti溅射后进行Al溅射，完成Al溅射后降温至室温取出，即得。本发明采用导电硬质基底，则可以解决陶瓷薄膜的脆性问题，有利于纳米器件的制作；使用直流法进行磁控溅射，重复性好，成膜质量高，制备陶瓷薄膜的有序度好，时间短。
本发明公开了一种Si/Ti/Al硬质基底的直流磁控溅射制备方法及应用，该制备方法包括如下步骤：取Si片基板三次化学清洗后，真空除尘，预热30分至200摄氏度后，进行Ti溅射，溅射条件为本底真空度5×10‑4Pa、Ar气氛压力0.50pa、溅射时间为1min、溅射电流为1A，完成Ti溅射后进行Al溅射，完成Al溅射后降温至室温取出，即得。本发明采用导电硬质基底，则可以解决陶瓷薄膜的脆性问题，有利于纳米器件的制作；使用直流法进行磁控溅射，重复性好，成膜质量高，制备陶瓷薄膜的有序度好，时间短。
