[00238192]2层挠性基板及其制造方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200580034536.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
四川钒钛产业技术研究院
进入空间
所在地：四川攀枝花市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供形成了附着性、绝缘可靠性等高的铜覆膜层的2层挠性基板及其制造方法。本发明的2层挠性基板，其特征为，在绝缘体薄膜的至少一面上不经粘接剂直接形成基底金属层，在该基底金属层上形成所希望厚度的铜覆膜层的2层挠性基板中，在绝缘体薄膜上由于镀法形成主要含有(1)钒的比例是4～13重量%、钼的比例是5～40重量%、剩余部分是镍的镍-钒-钼合金，或者(2)至少含有2重量%的钒且钒和铬的合计是4～13重量%、钼的比例是5～40重量%、剩余部分是镍的镍-钒-铬-钼合金的膜厚3～50nm的基底金属层，在该基底金属层上形成铜覆膜层。
本发明提供形成了附着性、绝缘可靠性等高的铜覆膜层的2层挠性基板及其制造方法。本发明的2层挠性基板，其特征为，在绝缘体薄膜的至少一面上不经粘接剂直接形成基底金属层，在该基底金属层上形成所希望厚度的铜覆膜层的2层挠性基板中，在绝缘体薄膜上由于镀法形成主要含有(1)钒的比例是4～13重量%、钼的比例是5～40重量%、剩余部分是镍的镍-钒-钼合金，或者(2)至少含有2重量%的钒且钒和铬的合计是4～13重量%、钼的比例是5～40重量%、剩余部分是镍的镍-钒-铬-钼合金的膜厚3～50nm的基底金属层，在该基底金属层上形成铜覆膜层。
