[00230871]一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他仪器仪表
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610534964.3
交易方式：
技术转让
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技术入股
联系人：
中国科学院深圳先进技术研究院
进入空间
所在地：广东深圳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，包括：在硅衬底上形成第一光刻胶层，在第一光刻胶层上形成第一绝缘层；形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与第一光刻胶层至硅衬底的上表面的孔洞，并在孔洞内填充金属以形成金属体；形成一端与金属体的上表面连接的金属引线；金属引线的另一端连接焊盘；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；第二绝缘层覆盖金属体的上表面以及金属引线；去除硅衬底，使金属体的下表面暴露出来；去除第一光刻胶层，使金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。本发明通过在光刻胶上进行干法刻蚀形成三维结构，工艺相比现有的技术进行了简化，制作成本也大大降低。
本发明公开了一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，包括：在硅衬底上形成第一光刻胶层，在第一光刻胶层上形成第一绝缘层；形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与第一光刻胶层至硅衬底的上表面的孔洞，并在孔洞内填充金属以形成金属体；形成一端与金属体的上表面连接的金属引线；金属引线的另一端连接焊盘；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；第二绝缘层覆盖金属体的上表面以及金属引线；去除硅衬底，使金属体的下表面暴露出来；去除第一光刻胶层，使金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。本发明通过在光刻胶上进行干法刻蚀形成三维结构，工艺相比现有的技术进行了简化，制作成本也大大降低。
