[00229888]Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
光学仪器
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510166797.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。该集成单片包括集成设置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中GaN激光器包括从下向上依次设置的N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层等，所述Ⅲ族氮化物HEMT包括主要由从下向上依次设置的本征氮化镓层和势垒层组成的异质结等，所述本征氮化镓层形成在所述P型氮化镓层上，其中所述HEMT的源电极还与GaN激光器的P型电极电性连接。本发明在不改变GaN激光器体积的前提下，将GaN HEMT器件与激光器有机集成，充分利用HEMT的驱动和栅控特点结合GaN激光器的发光特性，可以在通信和显示领域得到广泛的应用。
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。该集成单片包括集成设置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中GaN激光器包括从下向上依次设置的N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层等，所述Ⅲ族氮化物HEMT包括主要由从下向上依次设置的本征氮化镓层和势垒层组成的异质结等，所述本征氮化镓层形成在所述P型氮化镓层上，其中所述HEMT的源电极还与GaN激光器的P型电极电性连接。本发明在不改变GaN激光器体积的前提下，将GaN HEMT器件与激光器有机集成，充分利用HEMT的驱动和栅控特点结合GaN激光器的发光特性，可以在通信和显示领域得到广泛的应用。
