本发明涉及一种稀土改性剥离强度的载体超薄铜箔及其制备方法。所述载体超薄铜箔由载体层、剥离层及超薄铜箔层组成,有机层通过载体铜箔在表面吸附一层苯并三氮唑(BTA)形成的,合金层为含有镧、铈、钐、钇等稀土元素的镍钨合金,合金层表面上经三次电沉积形成超薄铜箔层。该超薄铜箔经钝化后在高温下进行加热加工时,不会发生支撑载体箔所不希望的膨胀、剥离、脱落等现象,剥离强度达到0.15-0.20千克力/厘米,与不加稀土元素时相比提高了30%以上,并在加热加压后容易从超薄铜箔层上均匀地剥离掉载体箔层,适用于制造高密度印制电路板。
一种稀土改性剥离强度的载体超薄铜箔制备方法,其特征在于:所述载体超薄铜箔由载体层、剥离层及超薄铜箔层组成;剥离层由有机层和合金层组成;有机层为三唑类含氮化合物苯并三氮唑,合金层为含有稀土元素的镍钨合金;所述稀土元素为镧、铈、钐、钇其中的一种;所形成的超薄铜箔与载体之间的剥离强度为0.15-0.20千克力/厘米;制备方法包括如下步骤:(1)制备载体厚度为35微米铜箔;(2)铜箔载体表面吸附有机层:将铜箔载体浸入三唑类含氮化合物苯并三氮唑溶液吸附形成一层有机膜,三唑类含氮化合物苯并三氮唑溶液的浓度为5g/L,处理时间为20-60S(3)电沉积形成合金层:将有机层在置于镍钨合金液中电沉积形成合金层;所述镍钨合金液为:硫酸镍10-40g/L,钨酸钠20-100g/L,柠檬酸钠50g/L,稀土元素浓度为0.1-1.0g/L;所述稀土元素为镧、铈、钐、钇其中的一种;电沉积温度为45-50℃,处理时间6-12S;(4)在合金层表面上经三次电沉积形成厚度为1-5μm的超薄铜箔层:电沉积超薄铜箔层参数如下:首次沉铜:Cu2+:30-90g/L,硫酸:150g/L,溶液温度:40?50℃,电流密度:5-40A/dm2,处理时间:6-12S;二次沉铜:Cu2+:10-50g/L,硫酸:100g/L,溶液温度:40?50℃,电流密度:5-35A/dm2,处理时间:6-12S;第三次沉铜:Cu2+:20-80g/L,硫酸:150g/L,溶液温度:40-50℃,电流密度:5-35A/dm2,处理时间:6-12S。
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