技术详细介绍
本发明涉及用于制造印刷电路板超薄铜箔的制备技术，特别是以铜箔作载体的可剥离超薄铜箔及其制备方法。其载体用的是35微米的铜箔，而剥离层是由有机层及合金层一起构成，其中的有机层为含氮化合物，合金层是钨镍二元合金组成。用此法制备的1-5微米的超薄铜箔经钝化并在加热加工后易与支撑载体剥离，剥离强度适中，克服了在制备和使用复合箔的过程中超薄铜箔易从载体上部分或全部脱离的现象，剥离后超薄铜箔不会留在载体箔上，载体箔也不会留在超薄铜箔上，超薄铜箔表面光亮干净，适于制造高密度印刷电路板。
以铜箔作载体的可剥离超薄铜箔制备方法，其步骤为：（1）先制备铜箔载体；（2）在铜箔载体表面吸附有机层；（3）再在有机层表面上电沉积金属合金层；（4）然后在金属合金层表面上电沉积超薄铜箔层；其特征是：有机层采用BTA溶液，将铜箔载体浸入吸附形成一层有机膜，BTA溶液的浓度为1～20g/L，处理时间为20～60S；对于合金层的电镀，其工艺参数如下：电解液组成：硫酸镍：10～40g/L，钨酸钠：20～100g/L，柠檬酸钠：50g/L，pH：3.5～6.5，电流密度：5～40A/dm2，电解液温度：45～50℃，处理时间：6～12S；超薄铜箔层的电镀参数如下：首次沉铜：Cu2+：30～90g/L，硫酸：150g/L，溶液温度：40～50℃，电流密度：5-40A/dm2，处理时间：6～12S；二次沉铜：Cu2+：10～50g/L，硫酸：100g/L，溶液温度：40～50℃，电流密度：5-35A/dm2，处理时间：6～12S；第三次沉铜：Cu2+：20?80g/L，硫酸：150g/L，溶液温度：40～50℃，电流密度：5-35A/dm2，处理时间：6～12S。