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[00220800]阴离子掺杂锰基固溶体正极材料及制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 电子元器件

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:201310498055.5

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 武汉大学

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所在地:湖北武汉市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

  本发明涉及一种阴离子掺杂锰基固溶体正极材料,其结构通式为Li[Li((x+1)/(2+x))Mn(x/(2+x))M((1-x)/(x+2))]O2-mY2m/z,式中Y为掺杂阴离子,M为过渡金属层掺杂元素,02-,PO43-,SiO44-,BO33-,SO42-中的一种或一种以上,过渡金属层掺杂元素M一般选自Co,Ni,Fe,Cr中的一种或一种以上阴离子。掺杂元素加入到锰基固溶体材料结构中,与O形成更加稳定的化学键以稳定O在晶体结构中的位置,显著地提高了晶体结构稳定性,从而获得更好的电化学稳定性。

  本发明涉及一种阴离子掺杂锰基固溶体正极材料,其结构通式为Li[Li((x+1)/(2+x))Mn(x/(2+x))M((1-x)/(x+2))]O2-mY2m/z,式中Y为掺杂阴离子,M为过渡金属层掺杂元素,02-,PO43-,SiO44-,BO33-,SO42-中的一种或一种以上,过渡金属层掺杂元素M一般选自Co,Ni,Fe,Cr中的一种或一种以上阴离子。掺杂元素加入到锰基固溶体材料结构中,与O形成更加稳定的化学键以稳定O在晶体结构中的位置,显著地提高了晶体结构稳定性,从而获得更好的电化学稳定性。

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