技术详细介绍
物理气相沉积制备氮化铝晶体的智能控制系统。
成果简介
氮化铝晶体生长的智能控制系统以远程终端（电脑或手机等智能终端）为控制中心，通过Arduino智能控制器与电控柜中的PLC的通讯，实现氮化铝晶体生长过程中的冷却水温度、炉内温度和炉内气压等生长参数的读取，并进行数据的分析和生长流程的控制，实现对晶体生长电控柜的参数传递和指令控制，将设备中的各控制单元通过网络连接起来，由终端集中统一管理和远程控制，取代长期沿用的人工控制晶体生长过程，解决了手工操作带来的难度和不便。
技术创新
集AIN晶体制作工艺、自动化、远程控制于一体。
专利情况
专利号：2015201501534, 2012101153679, 2012102587798
市场前景及应用领域
该系统的控制模式不仅仅适用于氮化铝晶体生长行业，而且对整个晶体生长领域有着良好的应用前景，为晶体工业化生长提供技术支持。对于其他材料的生长和镀膜等实验具有借鉴意义和参考价值。该套系统也能用于工业上的自动化控制，实现无人操作，对于改变危险的传统工业生产具有积极意义。