技术详细介绍
高性能纳米线薄膜电子TFT器件
为了满足市场对于高性能、大面积薄膜电子器件的需求，一条有效的突破途径来至于使用自组装硅纳米线来开发和实现高性能薄膜晶体管TFT器件。在晶态纳米线一维导电通道中，电子/空穴迁移率可以大大提高，同时受益于纳米线沟道的高面积/体积比，沟道电流可以更容易地抑制，从而降低器件功耗、提高稳定性和柔韧特性。本项目开发了一种“面内固-液-固”（In-plane Solid-Liquid-Solid， IPSLS）生长模式，可以获得大规模“自组装-自定位”纳米线阵列的引导生长和原位集成，获得了高迁移率（>200 cm2/Vs）原型TFT器件。这为探索和实现新一代基于纳米线的高性能TFT逻辑和驱动电路提供了关键技术实现基础。