技术详细介绍
以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料具有大禁带宽度、强击穿电场、高电子饱和漂移速度和良好化学稳定性等一系列材料性能优势，是研制新型功率半导体器件的热门材料。SiC肖特基功率二极管在美国已经实现产业化，但受到SiC衬底技术垄断等因素的限制，SiC肖特基功率二极管的价格非常昂贵，无法实现大范围推广。相比之下，GaN技术没有材料来源上的限制；而且，由于GaN材料普遍被生长在便宜的蓝宝石衬底上，高性能GaN功率器件有望实现低成本制备，利于向广阔的民用市场推广。基于以上原因，GaN基功率器件是当今世界范围内的研究和开发热点。
江苏省光电信息功能材料重点实验室近年来集中开展了GaN肖特基功率二极管的研制，并已取得了阶段性的进展；实现了具有低漏电流的小功率GaN肖特基二极管，目前正在推进GaN肖特基功率二极管的实用化进程。