南京大学通过国家“863”计划支持,开发了新型非极性LED材料生长和器件制作技术。用MOCVD方法在γ-LiAlO2衬底上生长M面GaN和非极化GaN/InGaN量子阱材料。由非极化GaN/InGaN量子阱材料的室温光致发光谱可以观察到GaN/InGaN/GaN用MOCVD方法在γ-LiAlO2衬底上制备非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯,分别实现非极化GaN/InGaN LED结构材料和LED管芯的蓝色、绿色电致发光,LED结构材料的室温波长分别为363nm(FWHM:20nm)、414nm(FWHM:68nm)、519nm(FWHM:70nm)的发光峰,LED管芯的室温电致发光谱显示波长为522nm (正向偏压:10 V,电流:70 mA)的发光峰。
非极性绿光LED
LED芯片平面俯视照片(所示管芯尺寸为400um×400um)
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