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[00207514]基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器

交易价格： 面议

所属行业： 电子信息

类型： 发明专利

技术成熟度： 通过中试

专利所属地：中国

专利号：201220068991.3

交易方式： 技术转让

联系人：福州大学如皋研究院

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所在地：江苏南通市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

　　本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器（专利号201220068991.3），该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现锁存器的功能,并通过级联两个锁存器实现D触发器功能。与传统的D触发器相比，本实用新型采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOSD边沿触发器极大的降低了电路的功耗，并提高了电路的集成度。

[00207514]基于负微分电阻特性的混合SETCMOS D触发器

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