技术详细介绍
一种横向功率器件的结终端。
成果介绍：
一种横向功率器件结终端结构，其特征是该器件至少包含依次相连的三个半 导体掺杂区、一个侧壁氧化区和两端的侧壁场板区。其中位于一端的掺杂区为第 一类导电类型，构成器件的沟道区（或阳极），另一端的掺杂区为第二类导电类 型，构成器件的漏极区（或阴极），夹在中间的半导体区为第二类导电类型，构 成器件的漂移区。漂移区的下部与外延层相接，上部与场氧层相接，边侧与氧化 区相接，在源区和漏区的侧壁氧化区内刻蚀淀积多晶硅形成斜坡形或多阶梯形 3D 场板，分别与栅极和漏极电学接触。采用该结构制造横向 PN 二极管、横向 扩散场效应晶体管 LDMOS、或横向绝缘栅双极型晶体管 LIGBT，具有击穿电压 高、导通电阻小、工艺简单、成本低廉等优点。
本技术属于半导体功率器件技术和半导体工艺领域，尤其涉及大功率和高压 应用的横向功率器件结终端技术，如横向扩散场效应晶体管 LDMOS、横向高压二 极管、横向绝缘栅双极型晶体管 LIGBT 等。