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[00200269]一种单端操作的亚阈值存储单元电路

交易价格: 6 万元

所属行业: 微电子

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:ZL201210036104.9

交易方式:

联系人: 安徽大学

进入空间

所在地:安徽合肥市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

一种单端操作的亚阈值存储单元电路,设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1~N7,P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接,七个NMOS管N1~N7的体端以及N1、N2、N7的源极均接地,N3的栅极与行写控制信号RWR连接,N4的栅极与列写控制信号CWR连接,N2与P2组成一个反相器,其输出端连接到N2和P2的栅极,其输入端连接到P1的漏极,N5的栅极与读字线RWL连接,N5的漏极与读位线RBL连接,N6的源级与写位线WBL连接,N6的栅极与写字线WWL连接。

一种单端操作的亚阈值存储单元电路,设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1~N7,P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接,七个NMOS管N1~N7的体端以及N1、N2、N7的源极均接地,N3的栅极与行写控制信号RWR连接,N4的栅极与列写控制信号CWR连接,N2与P2组成一个反相器,其输出端连接到N2和P2的栅极,其输入端连接到P1的漏极,N5的栅极与读字线RWL连接,N5的漏极与读位线RBL连接,N6的源级与写位线WBL连接,N6的栅极与写字线WWL连接。

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