[00019383]在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他新材料技术
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810034703.0
交易方式：
技术转让
联系人：
齐晴
进入空间
所在地：上海崇明
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
技术投资分析：
在大气压强和没有催化剂的条件下，用热蒸发工艺蒸发氧化铟-石墨混合物中的氧化铟，通过氧化铟蒸汽在硅片上的沉积，在硅片上生长大面积的微米级块状结构的氧化铟薄膜。
有以下特点：
对设备的要求低，压力只需要是常压，对载气的要求不高，只需要N2，和方法简单、成本低、重复性好，且能在硅片上大面积生长微米级块状结构的氧化铟。特别适于作为阴极材料用在场发射微电子器件中。
技术的应用领域前景分析：
一种在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟(In2O3)薄膜的方法，属于光电子材料和半导体材料及其制备的技术领域。
效益分析：
本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。
厂房条件建议：
无
备注：
无
技术投资分析：
在大气压强和没有催化剂的条件下，用热蒸发工艺蒸发氧化铟-石墨混合物中的氧化铟，通过氧化铟蒸汽在硅片上的沉积，在硅片上生长大面积的微米级块状结构的氧化铟薄膜。
有以下特点：
对设备的要求低，压力只需要是常压，对载气的要求不高，只需要N2，和方法简单、成本低、重复性好，且能在硅片上大面积生长微米级块状结构的氧化铟。特别适于作为阴极材料用在场发射微电子器件中。
技术的应用领域前景分析：
一种在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟(In2O3)薄膜的方法，属于光电子材料和半导体材料及其制备的技术领域。
效益分析：
本发明具有明显的社会效应和很大的经济效益。
厂房条件建议：
无
备注：
无
