技术详细介绍
一、发明创造简介
随着微电子技术市场对陶瓷电容器和微波介质元件等实用型器件微型化、集成化、智能化的需求；介电陶瓷的研究越来越受到人们广泛的重视，特别是在动态随机存储(DRAM):．和高介电电容器(MLCC)中有着广泛'的应用前景。因此，动态随机存储（DRAM）和高介电电容器(MIJCC)要求材料必须同时具有巨介电和低的介电损耗等电性能。因此本工作旨在ACu3T14012结构的氧化物中寻求和研究一种新的巨介电材料Na0.5 [Bi（1一x）Lax]0.5Cu3Ti4012，即通过研究La,取代Bi对新的Na0.5 [Bi（1一x）Lax]0.5Cu3Ti4012陶瓷材料的介电性能及温度稳定性的影响，从而寻找一个最佳组份和制备工艺，以期获得能够满足动态随机存储(DRAM)和高介电电容器(MLCC)等应用的巨介电材料。
二、创新点
通过研究La取代Bi对新的Na0.5 [Bi（1一x）Lax]0.5Cu3Ti4012陶瓷材料的介电性能及温度稳定性的影响，从而寻求和研究了一种新的巨介电材料的最佳组份和制备工艺，以期获得能够满足动态随机存储（DRAM）和高介电电容器（MLCC）等应用的巨介电材料。
三、发明的应用价值和市场前景
所制备的La取代Na0.5 [Bi（1一x）Lax]0.5Cu3Ti4012陶瓷材料，制备工艺简单，重复性好，成品率高，成本低，介电常数明显增大和介电损耗降低。此材料制作的陶瓷电容器和微波介质元件等实用型器件在动态随机存储（DRAM）和高介电电容器（MLCC）领域展现了良好的应用前景。