[01537136]PSG动态镍吸除技术
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技术详细介绍
该技术在碟形晶粒形成并长大到一定程度、尚未对撞上的时候，在薄膜上沉积700nm的PSG，再加590℃ 3小时的退火过程，使多晶硅中的镍能有利于被PSG吸除。该技术采用先部分晶化后、再边吸除边晶化的两步法实现残余镍的吸除，让非晶硅局部先得到足够镍的催化，有利于形成高质量的多晶硅岛状微区；晶化和吸除同步进行，减小了在晶界处Ni杂质聚集导致的缺陷态，对界面起到修补作用，有利降低晶界势垒。该技术工艺过程简单，处理成本低，适合于大批量的工业化生产，是制备高稳定MIC多晶硅微电子器件与电路系统的必需工艺技术。