技术详细介绍
成果简介：随着电子电路领域集成度的提高,各种电子元器件的驱动电压及耐压值逐渐下降，需要用大量的低压压敏电阻吸收在电路内部或外部的浪涌电压或电流,进行保护。片式低压ZnO压敏电阻因具有响应速度快、电压限制特性好、受温度影响小、通流能力大、电容量大等特点，被广泛应用,以改善数字化电路的抗干扰能力。1999-2007年期间，全球主要生产厂家德国的EPCOS、美国的Littlefuse和AVX、以及日本的Mastushita的片式ZnO低压压敏电阻的年增长率在30%以上。
本项目采用氧化物法制备ZnO低压压敏电阻，流延工艺成型、烧结等为主要技术手段，得到片式ZnO低压压敏电阻。片式ZnO低压压敏电阻的主要技术指标：压敏电压≤10V，非线性系数≥20，漏流≤10uA。