[01510681]铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层,n^+GaN集电极欧姆接触层,第一GaN隔离层,第一InAlN势垒层,GaN主量子阱层,第二InAlN势垒层,InGaN隔离层,n^+InGaN发射极欧姆接触层,圆形电极,位于n^+GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极,位于n^+GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明的二极管的发射极欧姆接触层采用InGaN材料,增大峰值电流,提高输出功率;二极管的制作方法中,生长InGaN后没有高温工艺,没有In析出,减小器件漏电。