本发明涉及硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件。其分子式为BaGa4S7,属于正交晶系,空间群为Pmn21,晶胞参数为a=14.755,b=6.228,c=5.929,α=β=γ=90°。该非线性光学材料的制备可采用坩锅下降法,得到它们的化合物及其单晶。该材料可应用于制造二次谐波发生器,上、下频率转换器,光参量振荡器。

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