当前位置：首页 > 科技成果 > 详细页

[00151615]一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他化学化工

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200810071339.5

交易方式： 技术转让

联系人：中国科学院海西研究院

进入空间

所在地：福建福州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

发布技术需求服务免费，交易还可领红包哦

技术详细介绍

　　本发明公开了一种P型导电性的CuI单晶体及其水热生长方法。生长的CuI晶体为γ相，是直接带隙的P型导电性半导体。利用低温水热法实现具有P型导电性优质CuI晶体的生长。得到的CuI晶体可以作为P型半导体衬底单晶用于宽禁带半导体光电子器件制作上，同时还可以作为超快闪烁晶体用于超高计数率电子束及γ和X射线测量中。由于工艺简单，操作方便，设备低廉，本发明提供的方法有利于工业化生产。由于矿化剂溶液中可以加入掺杂元素进行载流子调控，利用本方法可以实现CuI晶体材料的载流子的调控。 0 (1).jpg

[00151615]一种P型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法

技术详细介绍

推荐服务：