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[00151572]掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他化学化工

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200810070570.2

交易方式： 技术转让

联系人：中国科学院海西研究院

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所在地：福建福州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

　　掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法，属于人工晶体领域。该激光晶体属于单斜晶系，分子式为Nd3+:LaBMoO6，Nd3+掺杂浓度在0.5at.-15at.%之间。该激光晶体采用提拉法生长，生长温度1090℃，晶体转速10~30转/分钟，拉速0.5~1毫米/小时。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1060nm和900nm左右波长的激光输出。本发明制备工艺简单、生长速度快、成本低廉；所生长晶体具有硬度大、组分均匀、尺寸大和光学质量好的优点。

[00151572]掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法

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