当前位置：首页 > 科技成果 > 详细页

[00142646]长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法

交易价格： 面议

所属行业：

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：201310202050.3

交易方式： 技术转让

联系人：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

进入空间

所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

登录后向技术服务商咨询

发布技术需求服务免费，交易还可领红包哦

技术详细介绍

本发明公开了一种长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器，包括顺次连接的下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层，其中，所述有源区采用GaNAsBi/GaAs多量子阱结构。本发明可降低激光器阈值电流，提高激光器增益，实现无制冷工作，适合面发射激光器等多类激光器，其生产成本低于InP基激光器，且该多量子阱激光器有源区不含Al，可降低生长工艺的难度，提高激光器的良率和寿命。

[00142646]长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法

技术详细介绍

推荐服务：