本发明涉及光伏技术领域,尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池,包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。本发明采用Si衬底制作的三结级联太阳能电池,实现带隙能量分别为1。89eV/1。42eV/1。0eV,获得高电压、低电流输出,从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失,实现较高的光电转换效率。
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