技术详细介绍
本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池以及在InP层上生长与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，所述InP的厚度为0。5~10μm。本发明提出的四结太阳电池，不但减少InP衬底的消耗，同时还有效解决了生长单片多结级联太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出的四结级联太阳电池，有利于提高对太阳光能量的利用。