技术详细介绍
本发明提供一种四结级联太阳能电池，包括依次设置的Ge底电池、第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；Ge底电池包括Ge衬底以及设置在Ge衬底上的Ge底电池的发射区；GaNAsBi子电池与Ge衬底晶格匹配。本发明还提供一种四结级联太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在Ge衬底上扩散形成或生长Ge底电池；2）在Ge底电池表面依次生长第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；3）在GaInP子电池和Ge衬底上分别制备上、下电极，获得目标太阳能电池。