技术详细介绍
IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor，集成门极换流晶闸管）是在晶闸管（SCR）和门极可关断晶闸管（GTO）基础上发展起来的一种大功率半导体开关器件。IGCT 由门极换流晶闸管GCT（Gate Commutated Thyristor）和集成门极驱动单元共同组成。由于集成门极驱动单元承担了所有驱动、控制和保护的任务，使用者只需要提供电源和光纤控制信号，就可以简单地实现对IGCT 器件开通关断的控制。
北京交通大学电气工程学院自2004 年开始开展IGCT 集成门极驱动技术的研究，成功研制了4000A/4500V 不对称型和1100A/4500V 逆导型IGCT 器件集成门极驱动单元，在国内率先掌握相关核心技术并完成了产品的试验测试，已申请相关专利5 项，拥有IGCT 集成门极驱动技术的完全自主知识产权。在科技部科技支撑计划项目的支持下，
北京交通大学电气工程学院正与国内多家企业合作，积极开展国产IGCT 器件应用技术的研究，共同推进自主大功率电力电子器件的产业化进程。