技术详细介绍
专利简介：
本发明涉及一种宽禁带半导体材料中深能级中心光离化截面的测试方法，该方法建立了计算光离化截面的公式和测试步骤，通过综合考虑GaN材料中深能级中心与入射光子相互作用同时存在载流子发射和俘获的基础上，给出了一种基于光电流分析的深能级中心光离化截面的新测试思路，即，在保证光电流变化为恒定的情况下，深能级中心的光离化截面与入射光强度成反比，并给出了一种基于PID技术的深能级中心测试方法。本发明操作方便、测试误差小、适用性强，可推广应用于宽禁带半导体材料和器件中深能级中心光离化截面的测试。
合作方式：许可、转让或面议