[00136531]填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
交易价格：
面议
所属行业：
太阳能
类型：
发明专利
技术成熟度：
可规模生产
专利所属地：中国
专利号：200910151827.1
交易方式：
技术转让
联系人：
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
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所在地：江西新余市
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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用，具 体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后，放入单晶 炉或多晶炉中，用于硅晶体生长的初始原料；本发明涉及的该原料硅块的抗压 参数为0.1-50MPa，该原料硅块的纯度为99.99％-99.9999999％。该原料硅块 可以在太阳能领域或半导体领域的单晶炉或多晶炉中融熔作为原料硅使用，用 于生产晶体硅棒或硅锭；该原料硅块的一个用途是作为生产太阳能电池成品硅 片的初始原料用。该填装性能良好的原料硅块有良好抗氧化性能和抗压性能， 不容易崩裂、断裂，也不容易从表面脱落硅粉。
