[01356742]一种双栅功率MOSFET器件
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技术详细介绍
一种双栅功率MOSFET器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上,通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸,形成纵向漏极接触区（12a）,并在有源层和衬底之间引入一层与纵向漏极接触区（12a）下端相连的重掺杂埋层—即横向漏极接触区（12b）,缩短了电流导通路径,同时采用双栅结构形成双电流通道,提高电流流通面积,大大降低导通电阻和功耗;对于相同的器件横向尺寸,器件耐压仅略微下降。