技术详细介绍
本专利公开了一种大面积并联高密度感应耦合等离子体源，包括射频电源、匹配网络、外置天线和真空腔体等。采用了创新的感应天线的绕制方法，提高了射频功率的耦合效率，增强了等离子体密度，改善了其放电均匀性，设计与制作简单，成本低廉。
技术指标：
在700W射频功率的条件下，Ar等离子体密度超过1011cm-3，表面处理的均匀性好于85％。
应用领域：
各种样品表面的快速等离子体真空处理、薄膜生长等。
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