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[00135395]原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 可规模生产

专利所属地：中国

专利号：201110030298.7

交易方式： 技术转让

联系人：汪元元

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所在地：上海上海市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

一种光电材料技术领域的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，通过将基片加热后依次进行多组复合沉积、每组复合沉积由多次ZnO沉积和Al掺杂沉积组成，得到原子层沉积制备的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明制备得到的透明导电薄膜均匀性优异；导电性好，电阻率可低至7.2×10-4cm；可见光透过率高，可达90％以上。

[00135395]原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法

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