[00134478]一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201010165568
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明揭示了一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法，该手性传感器利用场效应晶体管的结构，其有源层为具有手性识别与检测功能的碳纳米管薄膜，该有源层组分上可以是经过手性分子修饰的单壁或多壁碳纳米管薄膜，或以上两种材料混合制成的薄膜。碳纳米管的理想结构大大降低了载流子非弹性背散射，特别是其室温声学声子所对应的平均自由程达到了微米量级，光学声子的平均自由程也到了几十纳米，可以达到目前场效应晶体管的尺度，碳纳米管作为理想的有源层材料被植入场效应晶体管。本发明将具有手性选择性的基团修饰到碳纳米管上，通过与待检测的手性物质结合，使得场效应晶体管的参数发生变化，从而达到手性检测的目的。
本发明揭示了一种基于场效应晶体管的手性传感器及其制备方法，该手性传感器利用场效应晶体管的结构，其有源层为具有手性识别与检测功能的碳纳米管薄膜，该有源层组分上可以是经过手性分子修饰的单壁或多壁碳纳米管薄膜，或以上两种材料混合制成的薄膜。碳纳米管的理想结构大大降低了载流子非弹性背散射，特别是其室温声学声子所对应的平均自由程达到了微米量级，光学声子的平均自由程也到了几十纳米，可以达到目前场效应晶体管的尺度，碳纳米管作为理想的有源层材料被植入场效应晶体管。本发明将具有手性选择性的基团修饰到碳纳米管上，通过与待检测的手性物质结合，使得场效应晶体管的参数发生变化，从而达到手性检测的目的。
