[00134469]基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201010165599.6
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用，该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明导电薄膜，并利用微加工光刻、刻蚀和金属沉积的方法制作GaN基LED、紫外光探测器；迁移石墨烯薄膜到LED或紫外光探测器的p型GaN基片上，代替ITO或Ni/Au作为透明导电电极。本发明采用石墨烯薄膜作为透明导电电极，能够实现低成本、高亮度的发光器件，扩大了碳纳米材料在GaN基光电器件领域的应用。
本发明揭示了一种利用石墨烯薄膜作为GaN基LED、紫外光探测器的透明导电电极及其制法与应用，该石墨烯薄膜固化结合于LED、紫外光探测器GaN基片表面。采用化学气相沉积或还原氧化法制备石墨烯透明导电薄膜，并利用微加工光刻、刻蚀和金属沉积的方法制作GaN基LED、紫外光探测器；迁移石墨烯薄膜到LED或紫外光探测器的p型GaN基片上，代替ITO或Ni/Au作为透明导电电极。本发明采用石墨烯薄膜作为透明导电电极，能够实现低成本、高亮度的发光器件，扩大了碳纳米材料在GaN基光电器件领域的应用。
