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[01316632]碲锌镉像素探测器电极的钝化方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

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产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种碲锌镉像素探测器电极的钝化方法,用于对碲锌镉像素探测器电极进行钝化,降低漏电流。

所述方法首先采用CdZnTe晶体,进行线切割,研磨、机械抛光、清洗后在2%Br-MeOH中化学抛光,得到待用的CdZnTe晶片。

然后将经机械抛光和化学抛光的CdZnTe晶片通过清洗、涂胶、烘干、曝光、显影、真空蒸镀电极和剥离等工艺,制备出像素探测器电极。

然后放入RIE-3型反应离子刻蚀机中抽真空,真空度为0.3333~0.3999Pa;调节氧气流量为70~80cm3/min;调节工作气压为0.5~1.0Pa;调节射频功率为8~12W;刻蚀时间为35~50min。

通过上述步骤CdZnTe像素探测器电极间的CdZnTe表面生成致密氧化物薄膜,漏电流减小了一个数量级,达到了钝化目的。

本发明公开了一种碲锌镉像素探测器电极的钝化方法,用于对碲锌镉像素探测器电极进行钝化,降低漏电流。

所述方法首先采用CdZnTe晶体,进行线切割,研磨、机械抛光、清洗后在2%Br-MeOH中化学抛光,得到待用的CdZnTe晶片。

然后将经机械抛光和化学抛光的CdZnTe晶片通过清洗、涂胶、烘干、曝光、显影、真空蒸镀电极和剥离等工艺,制备出像素探测器电极。

然后放入RIE-3型反应离子刻蚀机中抽真空,真空度为0.3333~0.3999Pa;调节氧气流量为70~80cm3/min;调节工作气压为0.5~1.0Pa;调节射频功率为8~12W;刻蚀时间为35~50min。

通过上述步骤CdZnTe像素探测器电极间的CdZnTe表面生成致密氧化物薄膜,漏电流减小了一个数量级,达到了钝化目的。

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