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[01315555]低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法

交易价格: 面议

所属行业: 光学仪器

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

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产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍

本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件,自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)。

势垒层的两端分别设有源电极(5)和漏电极(6),其中源电极(5)与漏电极(6)之间的势垒层上依次设有SiN钝化层(7)和BN钝化层(8)。

该两层钝化层的中部刻蚀有开孔,开孔中引出半浮空栅电极(9)。

本发明通过采用低介电常数、低电容材料BN与SiN组成复合钝化层,较传统钝化技术相比,减小了栅漏寄生电容和栅源寄生电容,降低了器件的频率损耗,可用于通讯、卫星导航、雷达系统和基站系统中。

本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件,自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)。

势垒层的两端分别设有源电极(5)和漏电极(6),其中源电极(5)与漏电极(6)之间的势垒层上依次设有SiN钝化层(7)和BN钝化层(8)。

该两层钝化层的中部刻蚀有开孔,开孔中引出半浮空栅电极(9)。

本发明通过采用低介电常数、低电容材料BN与SiN组成复合钝化层,较传统钝化技术相比,减小了栅漏寄生电容和栅源寄生电容,降低了器件的频率损耗,可用于通讯、卫星导航、雷达系统和基站系统中。

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