联系人:
所在地:
本发明公开了一种低频率损耗GaN基微波功率器件,自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和势垒层(4)。
势垒层的两端分别设有源电极(5)和漏电极(6),其中源电极(5)与漏电极(6)之间的势垒层上依次设有SiN钝化层(7)和BN钝化层(8)。
该两层钝化层的中部刻蚀有开孔,开孔中引出半浮空栅电极(9)。
本发明通过采用低介电常数、低电容材料BN与SiN组成复合钝化层,较传统钝化技术相比,减小了栅漏寄生电容和栅源寄生电容,降低了器件的频率损耗,可用于通讯、卫星导航、雷达系统和基站系统中。
Copyright © 2016 国家技术转移西南中心-区域技术转移公共服务平台 All Rights Reserved 蜀ICP备12030382号-1
主办单位:四川省科技厅、四川省科学技术信息研究所、四川省技术转移中心科易网