[00128186]晶格异变多结太阳电池
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
非专利
技术成熟度：
通过小试
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
技术背景：
III-V化合物半导体多结太阳电池以多种不同带隙半导体材料分段吸收太阳光，不仅可以覆盖较宽的太阳光谱，而且可以提高各段光谱中光能的利用率，是目前高效太阳电池的最佳解决方案；晶格异变III-V族半导体多结太阳电池，从电流匹配出发，可以更加有效地利用太阳光能量，得到比晶格匹配的多结太阳电池更高的转换效率。
技术优势：
采用晶格异变AlGaInAs缓冲层实现从GaAs到In0.27Ga0.73As晶格常数的过渡，制备穿透位错密度低于1106cm-2的光吸收层，在保持短路电流密度不变的同时获得高的开路电压，最终研制高效GaInP/GaAs/In0.27Ga0.73As三结太阳电池电池及GaInP/GaAs/In0.27Ga0.73As/InGaAs或 GaInP/GaAs/InGaAsP/ InGaAs四结太阳电池。
应用领域：
空间用太阳电池
地面民用聚光光伏电站
户外充电电源
技术背景：
III-V化合物半导体多结太阳电池以多种不同带隙半导体材料分段吸收太阳光，不仅可以覆盖较宽的太阳光谱，而且可以提高各段光谱中光能的利用率，是目前高效太阳电池的最佳解决方案；晶格异变III-V族半导体多结太阳电池，从电流匹配出发，可以更加有效地利用太阳光能量，得到比晶格匹配的多结太阳电池更高的转换效率。
技术优势：
采用晶格异变AlGaInAs缓冲层实现从GaAs到In0.27Ga0.73As晶格常数的过渡，制备穿透位错密度低于1106cm-2的光吸收层，在保持短路电流密度不变的同时获得高的开路电压，最终研制高效GaInP/GaAs/In0.27Ga0.73As三结太阳电池电池及GaInP/GaAs/In0.27Ga0.73As/InGaAs或 GaInP/GaAs/InGaAsP/ InGaAs四结太阳电池。
应用领域：
空间用太阳电池
地面民用聚光光伏电站
户外充电电源
