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[01274350]RB-SiC光学元件抛光工艺加工方法

交易价格: 面议

所属行业: 机床

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:

所在地:

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本成果涉及光学元件表面超光滑精密加工技术领域,尤其涉及一光学元件抛光工艺加工方法。

成果提出了一种新的RB-#SiC光学元件抛光工艺加工方法:首先对RB-SiC毛坯料进行抛光刻蚀加工,实现光学元件的精密磨削,使光学元件表面粗糙度值收敛到20nm以内;之后,利用射频磁控溅射技术(RF-MS)在RB-SiC光学元件表面沉积纳米级平坦化层;接下来,利用自由基微波等离子体源技术(RPS)对RB-SiC基底表面沉积的平坦化层进行抛光加工,利用自由基等离子体技术,将等离子体限定于等离子源本体之内,通过真空室流导控制,形成大面积均匀活性自由基,使得活性基与平坦化层材料发生化学化学反应,实现光学元件表面超光滑抛光加工;最后,利用离子束修形抛光技术(IBF),对光学元件表面平坦化层进行修形和抛光,通过对表面的高确定性去除,实现光学元件表面面形修正。

本成果克服了RB—SiC光学加工中存在的低加工效率问题,实现了碳化硅光学元件的超精密制造。

本成果涉及光学元件表面超光滑精密加工技术领域,尤其涉及一光学元件抛光工艺加工方法。

成果提出了一种新的RB-#SiC光学元件抛光工艺加工方法:首先对RB-SiC毛坯料进行抛光刻蚀加工,实现光学元件的精密磨削,使光学元件表面粗糙度值收敛到20nm以内;之后,利用射频磁控溅射技术(RF-MS)在RB-SiC光学元件表面沉积纳米级平坦化层;接下来,利用自由基微波等离子体源技术(RPS)对RB-SiC基底表面沉积的平坦化层进行抛光加工,利用自由基等离子体技术,将等离子体限定于等离子源本体之内,通过真空室流导控制,形成大面积均匀活性自由基,使得活性基与平坦化层材料发生化学化学反应,实现光学元件表面超光滑抛光加工;最后,利用离子束修形抛光技术(IBF),对光学元件表面平坦化层进行修形和抛光,通过对表面的高确定性去除,实现光学元件表面面形修正。

本成果克服了RB—SiC光学加工中存在的低加工效率问题,实现了碳化硅光学元件的超精密制造。

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