[01229884]基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于导通型SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管结构及制作方法,主要解决GaAs基太赫兹耿氏器件输出功率极低的问题。该二极管包括SiC衬底层、AlN成核层和GaN外延层,其中SiC衬底层为n型导通型,掺杂浓度为5×1018cm-3,以保证低阻的导电性。所述的低温AlN成核层厚度为30～50nm,以减小GaN外延层中的位错密度。所述的GaN外延层的下层是掺杂浓度为5×1018cm-3,厚度为1μm的高掺杂n+GaN层;中层是掺杂浓度为1×1017cm-3,厚度为1～3μm的低掺杂n-GaN层;上层是掺杂浓度为5×1018cm-3,厚度为100nm的高掺杂n+GaN层。整个器件制作采用了两次刻蚀过程,实现SiC欧姆接触和GaN欧姆接触两种不同性质的金属化,减小了寄生串联电阻。本发明器件具有输出功率和工作频率高的优点,适用于太赫兹频段工作。