[01229530]一种增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法,它涉及微电子技术领域。该实现方法成本低,工艺简单,重复性好,可靠性高,对材料损伤小,可以获得高阈值电压以及纳米级有效沟道长度的增强型HEMT器件。本发明通过在AlN成核层和GaN外延层生长之后,在二次GaN外延层和AlGaN层生长之前,采用刻蚀台面的方法,使台面侧面上的异质结材料沿着非极化方向生长,从而极大的减弱了台面侧面上的异质结材料中的二维电子气密度。这样,将器件的栅极制作在台面的侧面上,当栅极上没有加电压时,导电沟道不会导通或者弱导通;当栅极上外加一定正偏压时,导电沟道导通。本发明可用于高温高频大功率场合、大功率开关以及数字电路中。