[01171712]一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件
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技术详细介绍
一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规SOI LDMOS器件漂移区表面引入从多晶硅栅延伸至漏电极的延伸栅结构。在延伸栅结构中引入在器件开态时反向偏置的PN结来减小泄漏电流。延伸栅结构一方面在器件导通状态,在靠近延伸栅介质的漂移区表面感应出多数载流子的积累层,为开态电流提供了一条超低电阻通道,从而显著降低器件的比导通电阻,并使比导通电阻不依赖于漂移区掺杂浓度;另一方面在器件关断状态,延伸栅结构调节漂移区中电场分布从而提高了器件的耐压。此外,开态电流绝大部分由电荷积累层低阻通道流过,因此其温度分布均匀,器件更加稳定。