[01077153]0.18umCMOS工艺10Gb/s激光驱动器
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技术详细介绍
利用0.18mmCMOS工艺实现10Gb/s光发射机激光驱动器电路芯片。核心单元为两级直接耦合的差分放大器，电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽，降低功耗。经测试，该芯片在1.7V电源电压时，最高可工作在11Gb/s；当输入为10Gb/s，单端峰峰值为0．3V的信号时，在50Ω负载上的输出电压摆幅超过1.7V，电路功耗仅为77mW。该成果利用0.18mmCMOS工艺实现用于速率为l0Gb/s光发射机的激光驱动器，实现从高速电信号向高速光信号的转变，可以作为单片电路独立使用，也可与复接器集成，形成单片的光纤通信发射机芯片。该成果在世界范围内达到了先进水平，表明中国在高速、超高速集成电路设计方面拥有自主设计开发能力，具有广阔的市场前景。此外，其设计技术对于实现宽带高增益，高驱动能力放大器具有借鉴意义。合作方式：产品开发合作。