[01074067]高温微电子器件和电路
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
高温微电子器件和电器需满足航空航天、核技术和军事电子等高新技术领域的迫切需求，为此，拟开展下列研究工作：硅集成器件高温工作极限；高温ＭＯＳ器件和集成电路的按比例缩小理论；宽温区ＭＯＳ和ＣＭＯＳ电路优化设计理论；宽温区（２５—２５０℃以上）的体硅ＭＯＳ和ＣＭＯＳ集成电路；宽温区（２５—３００℃以上）Ｓ为ＭＯＳ和ＣＭＯＳ电路；ＥＣＲ／ＣＶＤ和ＭＢＥ ＳｉＣ薄膜大面积外延生长和掺杂技术；ＳｉＣ薄膜电参数的测试分析；高温（３５０℃以上）ＳｉＣ器件。通过深入研究微电子器件和电路的高温物理问题，提出完整的高温微电子器件和电路的优化设计理论，研制成宽温区（２５—２５０℃以上）内电特性良好的体硅ＣＭＯＳ电路，研制成功宽温区（２５—３００℃以上）内电特性良好的ＳＯＩ ＣＭＯＳ电路，提出完整的ＥＣＲ／ＣＶＤ和ＭＢＥ高质量ＳｉＣ材料制备方法和器件工艺技术，研制出可工作于３５０℃以上的ＳｉＣ ＭＥＳＦＥＴ。