[00107464]ECR深亚微米刻蚀技术

　　一、项目简介 　　本研究基于电子回旋共振高密度等离子体技术，成功地设计建立了ECR深亚微米刻蚀系统，并在此基础上进行了深亚微米图形刻蚀技术及工艺研究。 　　采用微波通过同轴开口电介质空腔产生表面波，利用新型高磁能积Nd-Fe-B稀土永磁磁钢合理布局形成的高强磁场，通过共振磁场区域内电子回旋共振效应，产生大面积、均匀、高密度等离子体。 　　ECR刻蚀系统：它包括微波系统、磁场系统、ECR腔体、工艺室、气路系统、样品偏置系统、等离子体监测系统、高真空获得与测量系统等。整个工艺系统在分系统智能化的基础上采用微机集中控制方式。本项目是国内首次开展ECR深亚微米刻蚀技术研究的项目。项目采用了Nd-Fe-B稀土永磁磁钢构成分布式大面积ECR磁场，加之独创的ECR谐振腔结构，使得ECR等离子体源面积大、均匀性好、结构紧凑、体积小、具有独创性。其主要技术指标处于国内领先水平，达到国际九十年代先进水平。曾获国家科技进步三等奖。 　　二、主要技术指标 　　微波频率：2.45GHz；微波功率1500W 　　磁场强度：875Gs；加工尺寸Φ8inch 　　真空度10-7Torr；电子密度1010cm-3 　　刻蚀速率>1000A/min；选择性（SiO2Si）>20 　　线条宽度<0.3μm；剖面控制>830 　　槽形尺寸<0.5╳5.0μm2；加工尺寸Φ8inch 　　均匀性95%；工艺温度<150CC 　　三、市场前景 　　本项目ECR深亚微米刻蚀技术和系统，可以替代进口，其成本仅相当于进口设备的1/30。每台设备可为国家节约外汇约200万美元，具有显著的经济效益。本项目ECR深亚微米刻蚀技术的应用可促进我国军用微电子技术、ULSI、微米/纳米技术的发展。深亚微米刻蚀技术在各国科技研究和发展中均十分重要，本项目的技术成果可使我国在ULSI发展的国际竞争中占有一席之地。 　　本项目的技术成果可应用到各类半导体器件、集成电路、电子器件、科研、生产等单位，已具备应用推广条件，具有广泛的应用前景。 　　本项目已经建立了ECR深亚微米刻蚀工艺系统，获得了微电子材料深亚微米图形刻蚀技术和设备的相关技术，ECR刻蚀技术已在军用高可靠性集成电路、SiC高温压力传感器、铁电薄膜微机械系统结构等国家重点攻关项目和国防重点工程用关键元器件研制生产中获得了应用，解决了科研生产急需，具有显著的社会效益和经济效益。 　　下阶段需要在现有的基础上进行更深一步的研究，完善系统设备性能和工艺技术，研制出实用化的工艺设备。其推广应用需要获得国家主管部门在科技投入方面的支持。 　　四、投资概算：投资100万元 　　五、合作方式：采用投入资金方式，与校方联合生产该系统。