[01051647]红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法
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技术详细介绍
一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法,它涉及光电探测器制造工艺技术。该发明采用在红外焦平面列阵器件光敏感元芯片非电极区域的钝化层表面制作起内反射镜面作用的金属层,来实现红外辐射吸收厚度比红外光敏感元列阵芯片有源区实际厚度大一倍的技术方案,有效解决了红外辐射在红外焦平面列阵器件内部吸收率、内量子效率低的问题。该发明方法具有工艺完全兼容、稳定性好以及不降低光电转换效率的特点。
一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法,它涉及光电探测器制造工艺技术。该发明采用在红外焦平面列阵器件光敏感元芯片非电极区域的钝化层表面制作起内反射镜面作用的金属层,来实现红外辐射吸收厚度比红外光敏感元列阵芯片有源区实际厚度大一倍的技术方案,有效解决了红外辐射在红外焦平面列阵器件内部吸收率、内量子效率低的问题。该发明方法具有工艺完全兼容、稳定性好以及不降低光电转换效率的特点。